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三菱代理 MDS-A-V2-0303货源充足

2019/06/13 08:34:00 来源:上海泽旭自动化设备有限公司 >> 进入该公司展台 已浏览:

        三菱代理MDS-A-V2-0303货源充足



三菱代理 MDS-A-V2-0303货源充足

zexu190613

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1.3  采用的硅片技术的试验结果
结合水冷散热器,在如下条件下通过实验验证了大功率J1系列650V/1000A IGBT模块的功率处理能力:电池电压=450V,PWM开关频率=5kHz/10kHz,冷却水温度(Tw)=65℃,冷却水流速=10L/min,热阻IGBT-Rth(j-w)取值,IGBT特性参数取典型值。类似地,大功率J1系列1200V/600A IGBT模块的实验条件如下:电池电压=600V,PWM开关频率=5kHz/10kHz,冷却水温度(Tw)=65℃;冷却水流速=10L/min,热阻IGBT-Rth(j-w)取值,IGBT特性参数取典型值。
在这些应用条件下,650V/1000A模块在其运行结温低于150℃的情况下的逆变输出电流可超过600Arms(相应逆变器输出功率可超过120kW)。而1200V/600A模块在其运行结温低于150℃的情况下的逆变输出电流可超过400Arms(相应逆变器输出功率可超过120kW)。这些实验结果如图8和图9所示。
如此有吸引力的良好结果是通过采用的第7代CSTBTTM和RFC二极管硅片技术而得到的。IGBT技术的进步一直受到对更高功率密度和更高效率的持续需求的驱动,这反映在通过采用改进内部结构来达到优化众所周知的饱和压降VCE(sat)vs. 关断损耗Eoff折衷性能之目的的逐代IGBT硅片性能的进步上。通过在IGBT硅片结构上增加额外的载流子层,CSTBTTM硅片能通过同时减少饱和压降和关断损耗来达到更高的效率。第7代IGBT 硅片进一步优化CSTBTTM的饱和压降VCE(sat) vs.关断损耗Eoff折衷性能,如图10所示,它归纳了新一代IGBT硅片性能的持续改进。考虑到J1系列创新型封装设计导致的超紧凑性(功率模块体积小于0.68升),通过采用第7代IGBT硅片来实现超高功率密度是显而易见的。
2、结 论
已开发的新型高功率密度IGBT模块“大功率J1系列”被用来满足逐步发展的电动汽车和混动汽车市场要求。大功率J1系列IGBT模块做到了性能高、自感低、封装紧凑和重量轻,这些有吸引力的特点是通过结合优化的封装结构技术和的硅片技术(第7代CSTBTTM 和RFC二极管)来实现的。总而言之,大功率J1系列IGBT模块能实现寛范围逆变器运行,从而满足不同种类的电动汽车和混动汽车的应用要求。MOSFET以及IGBT绝缘栅双极性大功率管等器件的源极和栅极之间是绝缘的二氧化硅结构,直流电不能通过,因而低频的表态驱动功率接近于零。但是栅极和源极之间构成了一个栅极电容Cgs,因而在高频率的交替开通和需要关断时需要一定的动态驱动功率。小功率MOSFET的Cgs一般在10-100pF之内,对于大功率的绝缘栅功率器件,由于栅极电容Cgs较大。一般在1-100nF之间,因而需要较大的动态驱动功率。更由于漏极到栅极的密勒电容Cdg,栅极驱动功率往往是不可忽视的。

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